深圳市明佳达电子有限公司 [供应,回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率沟槽 MOSFET 晶体管产品概览FDBL86210-F085 - 采用 TOLL 封装的汽车功率 MOSFET 晶体管,适合具有高散热性能的高效设计。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,具有 PPAP 能力,适合汽车应用。产品属性FET …
深圳市明佳达电子有限公司 [供应,回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率沟槽 MOSFET 晶体管
产品概览
FDBL86210-F085 - 采用 TOLL 封装的汽车功率 MOSFET 晶体管,适合具有高散热性能的高效设计。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,具有 PPAP 能力,适合汽车应用。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):169A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):90 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5805 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):500W(Tj)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-HPSOF
封装/外壳:8-PowerSFN
应用
开关电源
电源开关(高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥等)
反向电池保护
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