深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率沟槽 MOSFET 晶体管产品概览FDBL86210-F085 - 采用 TOLL 封装的汽车功率 MOSFET 晶体管，适合具有高散热性能的高效设计。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。产品属性FET …
深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率沟槽 MOSFET 晶体管
产品概览
FDBL86210-F085 - 采用 TOLL 封装的汽车功率 MOSFET 晶体管，适合具有高散热性能的高效设计。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5805 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：500W（Tj）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-HPSOF
封装/外壳：8-PowerSFN
应用
开关电源
电源开关（高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥等）
反向电池保护
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