CoolGaN™600V 增强型功率晶体管提供快速的开关速度和最小的开关损耗, 并实现最高效率的简单半桥拓扑结构。
深圳市明佳达电子有限公司供求MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V CoolGaN™ 增强型功率晶体管
产品描述
1、IGLD60R190D1AUMA1 表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1
系列: CoolGaN™
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1,6V @ 960µA
Vgs(最大值): -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 157 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 62.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-LSON-8-1
封装/外壳: 8-LDFN 裸焊盘
基本产品编号: IGLD60
2、IGLD60R070D1AUMA3 表面贴装型 N 通道 600 V 15A(Tc) 114W(Tc) PG-LSON-8-1
系列 CoolGaN™
FET: 类型 N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1,6V @ 2,6mA
Vgs(最大值): -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 380 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 114W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-LSON-8-1
封装/外壳: 8-LDFN 裸焊盘
介绍
CoolGaN™600V 增强型功率晶体管提供快速的开关速度和最小的开关损耗, 并实现最高效率的简单半桥拓扑结构。
CoolGaN™600V系列符合全面为GaN而定制的认证,远远超出现有标准。 它针对数据通信和服务器开关电源,电信以及适配器,充电器,无线充电以及其他需要最高效率或功率密度的应用。
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