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深圳市明佳达电子有限公司

型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网射频采样收发器逻辑 - 电平转换器接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器功率放大器模块时钟/计时，振荡器时钟/定时 - 纳米定时器数字交叉点开关超声波收发器时钟/定时 - 延迟线读卡器控制器逻辑 - 门和反相器发射器隔离式比较器高速比较器接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器光度测量前端隔离放大器数字显示控制器数字控制器音频处理器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组物联网模组新能源模组车规级模组智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组物联网芯片无线通信模块

滤波器

2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器有源滤波器 RF 滤波器高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片蓝牙模块 WiFi 无线模块蓝牙音频Soc

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个射频晶体管功率 MOSFET 模块碳化硅（SIC）FET 模块碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块晶闸管二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管二极管与整流器肖特基二极管与整流器单齐纳二极管双极晶体管阵列功率驱动器模块二极管 - 整流器 - 单晶体管 - FET，MOSFET - 阵列晶体管 - IGBT - 模块晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品电压基准电池管理以太网供电（PoE）控制器

连接器

圆形连接器汽车连接器卡边缘连接器板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器背板连接器矩形连接器同轴连接器（射频）矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

生物识别传感器速度传感器湿度传感器霍尔效应电流传感器超声波传感器光学传感器 - 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器光学传感器，光电二极管湿度、湿敏传感器光学探测器和传感器 - 红外探测器板上安装温度传感器光学传感器 - 环境光气体传感器位置传感器工业毫米波雷达传感器汽车毫米波雷达传感器图像传感器雷达传感器运动传感器 - 陀螺仪超声波接收器、发射器（距离测量）光学传感器 - 反射式 - 逻辑输出传感器模块压力传感器电流传感器电容触摸传感器

存储器

NOR 闪存非易失性存储器随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC 伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式和网络处理器

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英飞凌科技分立半导体 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN™ 600V GIT HEMT

英飞凌科技分立半导体 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN™ 600V GIT HEMT

来源：本站时间：2024-03-08浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司供应和回收英飞凌科技分立半导体 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。介绍该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装，非常适合用于需要无需散…

深圳市明佳达电子有限公司供应和回收英飞凌科技分立半导体 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。

介绍

该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装，非常适合用于需要无需散热片的紧凑型器件的应用。英飞凌科技CoolGaN™ 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm2小尺寸和1mm薄型高度，因此非常适合用于实现高功率密度。

特性

增强模式晶体管，常关型开关
采用小尺寸无引线SMD封装的GaN HEMT
GaN定制认证
超快开关速度
无反向恢复电荷
能够反向导通
低栅极电荷、低输出电荷
出色的换向耐受性
提高系统效率
提高功率密度
支持更高工作频率
系统成本降低
降低EMI
符合JEDEC标准（JESD47和JESD22），适用于工业应用
无铅、无卤，符合RoHS指令

技术参数

产品种类: MOSFET

技术: GaN

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 12.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV

Qg-栅极电荷: 3.2 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 55.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolGaN

系列: CoolGaN 600V

配置: Single

下降时间: 14 ns

上升时间: 12 ns

典型关闭延迟时间: 13 ns

典型接通延迟时间: 16 ns

公司首页：www.hkmjd.com

供求晶体管 IGLR60R340D1XUMA1 N沟道 600 V 8.2A（Tc） 41.6W（Tc）返回
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