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供应 Littelfuse MOSFET 产品:汽车用 MOSFET、N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、SiC MOSFET

供应 Littelfuse MOSFET 产品:汽车用 MOSFET、N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、SiC MOSFET

来源:本站时间:2025-04-28浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司 供应 Littelfuse MOSFET 产品:汽车用 MOSFET、N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、SiC MOSFET深圳市明佳达电子有限公司作为全球知名的电子元器件分销商,凭借其丰富的供应链资源和专业能力,为客户提供原装正品的电子元器件产品。主营产品 IC 芯片…

深圳市明佳达电子有限公司 供应 Littelfuse MOSFET 产品:汽车用 MOSFET、N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、SiC MOSFET


深圳市明佳达电子有限公司作为全球知名的电子元器件分销商,凭借其丰富的供应链资源和专业能力,为客户提供原装正品的电子元器件产品。


主营产品 IC 芯片、5G 芯片、新能源 IC、物联网 IC、蓝牙 IC、车联网 IC、车载 IC、通信 IC、人工智能 IC、存储器 IC、传感器 IC、微控制器 IC、收发器 IC、以太网 IC、WiFi IC、无线通信模块、连接器等。


汽车 MOSFET 产品和应用

随着汽车电子化程度的不断提高,汽车级功率器件的需求呈现爆炸式增长。汽车级 MOSFET 产品系列严格遵循 AEC-Q101 认证标准,具有可靠性高、抗干扰能力强、工作温度范围宽等特点,完全满足现代汽车电子系统的严格要求。


主要技术特点

宽温度工作范围:-55°C 至 +175°C(TJ)工作温度范围,确保在极端气候条件下稳定运行,适应发动机舱等高温环境。

高抗震设计: 采用特殊封装工艺和内部结构设计,通过机械振动和冲击测试,满足汽车行驶中的振动环境要求。

低导通电阻: 先进的沟槽栅极技术实现了毫欧导通电阻(RDS(on)),大大降低了传导损耗。

热性能增强: 3x3mm 扁平引线封装(如 WDFN)采用可润湿侧翼设计,为紧凑型汽车电子模块节省了空间并提高了热效率。


N 沟道和 P 沟道 MOSFET 解决方案

作为电子电路中最基本的功率开关器件,N 沟道和 P 沟道 MOSFET 在各类电源管理和电源转换系统中发挥着关键作用,Littelfuse MOSFET 产品线涵盖了从低压、小信号到高压、大电流的所有应用要求,为工程师提供了灵活的选择。


N 沟道 MOSFET 的主要技术特点包括

电压范围覆盖面广:提供从 30V 到 1000V 的多个电压等级,可满足大多数中低压应用的需求。

低导通损耗: 先进的沟槽栅极技术,典型 RDS(on) 值低至毫欧级别,大大降低了导通功率损耗,提高了系统效率。

快速开关特性: 优化的栅极结构和低栅极电荷 (Qg) 设计支持高频开关操作(高达 2.2MHz),适用于 LLC 谐振转换器等拓扑结构。

多种封装选项:从微型 DFN(3x3mm)到功率 TO-247,可满足不同功率等级和空间限制的设计要求。


P 沟道 MOSFET 应用特性

简化驱动器电路:在高端开关应用中,P 沟道 MOSFET 可直接由逻辑电平驱动,无需额外的电荷泵或栅极驱动器 IC,从而简化了电路设计。

支持负电压系统: 适用于需要负电源轨的音频放大器和运算放大器供电等情况,提供简单的电源开关解决方案。

冗余设计提高可靠性: 在关键电源路径中,N+P 沟道组合建立了更稳健的背靠背开关结构,防止意外导通和电流回流。


碳化硅 MOSFET 技术和应用突破

Littelfuse的SiC MOSFET系列产品具有卓越的材料特性,在新能源汽车、可再生能源和工业电源等领域提供了前所未有的性能提升。


SiC 技术优势分析

更高的击穿场强: 碳化硅材料的临界击穿场强是硅材料的 10 倍,因此漂移层更薄,掺杂浓度更高,导通电阻更低,芯片面积更小。

更宽的禁带宽度:3.26eV 的带隙使碳化硅器件能够在高达 200°C 或更高的结温下工作,适用于高温环境应用,同时显著降低漏电流。

更高的导热性: SiC 的热传导率是硅的三倍,有利于热量从结区传递到封装外壳,从而提高功率密度和可靠性。

更高的饱和电子漂移速度:支持超高开关频率,大大减小了无源元件的尺寸和重量。


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