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存储芯片 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit

存储芯片 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit

来源:本站时间:2025-04-26浏览数:

明佳达电子是一家专业的电子元器件供应商,长期稳定供应MT53E512M32D1ZW-046 WT:B LPDDR4X动态随机存取存储器。产品描述MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 是一款移动 LPDDR4 SDRAM 存储器 IC,容量为 16Gbit,采用 200-TFBGA(10x14.5)封装形式。它具有 512M x 32 的组织结构,…

明佳达电子是一家专业的电子元器件供应商,长期稳定供应MT53E512M32D1ZW-046 WT:B LPDDR4X动态随机存取存储器。


产品描述

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 是一款移动 LPDDR4 SDRAM 存储器 IC,容量为 16Gbit,采用 200-TFBGA(10x14.5)封装形式。它具有 512M x 32 的组织结构,工作电压为 1.1V/1.8V,支持并行接口,数据宽度为 32bit,数据速率高达 2.133GHz,传输延迟为 3.5ns。


产品特性

高性能:支持高达 2.133GHz 的数据速率,能够快速处理大量数据,满足高性能设备的需求。

低功耗:工作电压为 1.1V/1.8V,有助于降低设备的能耗,延长电池续航时间,特别适合移动设备和对功耗敏感的应用。

高容量:16Gbit 的存储容量,能够存储大量的数据,满足各种应用场景对存储空间的要求。

兼容性强:支持常见的 32bit 数据宽度,可与多种处理器和系统架构兼容,便于集成到不同的设备中。

可靠性高:采用先进的制造工艺和严格的质量控制,确保产品的稳定性和可靠性,减少数据丢失和系统故障的风险。


产品参数

存储容量:16Gbit

数据宽度:32bit

工作电压:1.1V/1.8V

数据速率:最高 2.133GHz

传输延迟:3.5ns

封装形式:200-TFBGA(10x14.5)

工作温度范围:-40°C 至 85°C(商业级)


如果您对 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 产品感兴趣或有相关需求,欢迎随时联系明佳达电子。


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