安森美NTMFS4925NT1G 30V N沟道功率MOSFET晶体管

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安森美NTMFS4925NT1G 30V N沟道功率MOSFET晶体管

来源：本站时间：2025-04-24浏览数：

安森美 NTMFS4925NT1G 30V N沟道功率MOSFET晶体管深圳市明佳达电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供高性能的 NTMFS4925NT1G 30V N 沟道功率 MOSFET 晶体管。这款 NTMFS4925NT1G MOSFET 晶体管具有出色的效率和功率处理能力，被广泛应用于开关电源、电机驱动和功…

安森美 NTMFS4925NT1G 30V N沟道功率MOSFET晶体管

深圳市明佳达电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供高性能的 NTMFS4925NT1G 30V N 沟道功率 MOSFET 晶体管。这款 NTMFS4925NT1G MOSFET 晶体管具有出色的效率和功率处理能力，被广泛应用于开关电源、电机驱动和功率放大等领域。

NTMFS4925NT1G 产品概述

NTMFS4925NT1G 是一款 30V N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 MOSFET 技术设计，专为高效功率转换和开关应用而优化。

NTMFS4925NT1G 的主要技术参数包括

额定电压 30V 漏极至源极电压 (VDSS)，适用于低压高效应用场合

导通电阻：极低的 RDS(on)，典型值仅为 4.9mΩ@VGS=10V，显著降低导通电阻损耗

电流能力：连续漏极电流 (ID) 高达 60A，脉冲电流高达 240A

栅极电荷： 48nC 总栅极电荷 (Qg)，适合高频开关应用

封装 DFN5（5x6 毫米）表面贴装封装可优化散热性能并节省 PCB 空间

工作温度 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围，适用于恶劣环境

与同类产品相比，NTMFS4925NT1G 在功率密度和效率方面具有显著优势。其低导通电阻大大降低了传导损耗，而优化的栅极驱动特性降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。