明佳达电子有限公司现供应A2T21H410-24SR6射频金属氧化物半导体场效应晶体管(RF MOSFET)。产品描述A2T21H410-24SR6是一款 72W 非对称 Doherty 射频功率 LDMOS 晶体管，工作频率范围为 2110 至 2170MHz，专为蜂窝基站应用设计。它采用先进的高性能内部封装 Doherty 技术，…
明佳达电子有限公司现供应A2T21H410-24SR6射频金属氧化物半导体场效应晶体管(RF MOSFET)。
产品描述
A2T21H410-24SR6是一款 72W 非对称 Doherty 射频功率 LDMOS 晶体管，工作频率范围为 2110 至 2170MHz，专为蜂窝基站应用设计。它采用先进的高性能内部封装 Doherty 技术，增大负栅源电压范围，能改善 C 类放大器运行，且符合 RoHS 规范。
核心特性
1. 高频性能优异
工作频率范围：1MHz-2500MHz
输出功率：21W（典型值@28V, 175MHz）
功率增益：19dB（典型值）
效率：70%（典型值）
2. 电气特性卓越
漏源电压(VDS)：65V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：4A
脉冲漏极电流(IDM)：16A
3. 热性能可靠
结壳热阻：2.4°C/W
工作结温范围：-55°C至+150°C
采用TO-247封装，散热性能优异
4. 应用适配性强
输入/输出阻抗匹配简便
内部集成ESD保护二极管
线性度优异，适合数字调制系统
技术规格
类型：N沟道增强型RF MOSFET
漏源击穿电压(BVDSS)：65V
栅源阈值电压(VGS(th))：2.0-4.0V
导通电阻(RDS(on))：0.24Ω (最大值@VGS=10V)
输入电容(Ciss)：180pF (典型值)
输出电容(Coss)：45pF (典型值)
反向传输电容(Crss)：5pF (典型值)
封装形式：TO-247
符合标准：RoHS、REACH
应用场景
A2T21H410-24SR6主要应用于移动通信基站，适用于 2110 至 2170MHz 频率范围内的蜂窝通信系统，能够为基站提供高功率、高效率的射频信号放大，满足日益增长的移动通信需求。
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