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LPDDR5内存IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B 动态随机存取存储器

LPDDR5内存IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B 动态随机存取存储器

来源:本站时间:2024-02-29浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司全新原装【供应】【收购】LPDDR5内存IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B 动态随机存取存储器 LPDDR5 64G 1GX64 FBGA介绍Micron移动设备和人工智能 (AI) 用LPDDR5 DRAM设计用于满足5G网络的需求。 DRAM支持5G智能手机以高达6.…

深圳市明佳达电子有限公司全新原装【供应】【收购】LPDDR5内存IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B 动态随机存取存储器 LPDDR5 64G 1GX64 FBGA


介绍

Micron移动设备和人工智能 (AI) 用LPDDR5 DRAM设计用于满足5G网络的需求。  DRAM支持5G智能手机以高达6.4Gbps的峰值速度处理数据。这对于防止5 G数据瓶颈至关重要。LPDDR 5 DRAM可以满足这些要求,数据访问速度提升50%。与前几代产品相比,该器件的功效也增加20%以上。


产品特性

• Micron先进的1y纳米节点,具有12GB容量,数据速度为6.4Gbps,改进了整体DRAM设计

• 带宽提升超过50%,提升5G和AI等下一代旗舰智能手机的性能

• 可在Edge+智能手机上实现下一代功能

• 与LPDDR4 相比,电源效率提高了20%以上,因此旗舰智能手机能够在充电之间运行更长时间


规格参数

芯片组验证:N/A

周期时间:6400 MB/s

存储容量:64Gb

FBGA 电码:D9ZNT

工作温度:-25°C ~ +85°C

技术:LPDDR5

宽度:x64


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