STW14NK50Z：意法半导体SuperMESH™ N沟道500V/14A功率MOSFET - 明佳达现货供应原装正品STW14NK50Z产品概述STW14NK50Z是意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道功率MOSFET，属于SuperMESH™系列产品。STW14NK50Z采用TO-247封装，具有500V的漏源极电压和14A的连续漏极…
STW14NK50Z：意法半导体SuperMESH™ N沟道500V/14A功率MOSFET - 明佳达现货供应原装正品
STW14NK50Z产品概述
STW14NK50Z是意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道功率MOSFET，属于SuperMESH™系列产品。STW14NK50Z采用TO-247封装，具有500V的漏源极电压和14A的连续漏极电流能力。STW14NK50Z以其优异的开关性能和可靠性广泛应用于电源转换和电机驱动等领域。
作为一款高性能功率MOSFET，STW14NK50Z采用了意法半导体先进的MDmesh™技术，实现了低导通电阻(0.34Ω)和高开关速度的完美平衡。STW14NK50Z的栅极驱动电压范围为±30V，阈值电压为3.75V，适合各种功率开关应用。
STW14NK50Z主要特性
STW14NK50Z具有多项卓越特性，使其在功率电子设计中表现出色：
高电压能力：STW14NK50Z支持500V的漏源极电压，适用于高压应用
大电流能力：14A的连续漏极电流，满足大多数功率开关需求
低导通电阻：仅0.34Ω的RDS(on)，减少导通损耗
快速开关：16ns的上升时间和12ns的下降时间，提高效率
宽温度范围：工作温度范围-55℃至150℃，适应严苛环境
集成齐纳保护：内置齐纳二极管，增强器件可靠性
符合环保标准：STW14NK50Z符合RoHS规范，无铅设计
STW14NK50Z关键参数
STW14NK50Z的主要技术参数如下：
漏源极电压(VDS)：500 V
连续漏极电流(ID)：14 A
脉冲漏极电流(IDM)：56 A
导通电阻(RDS(on))：0.34 Ω
输入电容(Ciss)：2000 pF
栅源击穿电压：±30 V
阈值电压(VGS(th))：3.75 V
功率耗散：150 W
封装形式：TO-247
STW14NK50Z的这些参数使其成为高效率电源转换和电机驱动的理想选择。
STW14NK50Z典型应用
STW14NK50Z凭借其优异的性能参数，在多个领域都有广泛应用：
开关电源：STW14NK50Z可用于AC-DC、DC-DC转换器等开关电源设计
电机驱动：适用于工业电机、风扇和泵等驱动电路
照明系统：LED驱动和HID照明电源的理想选择
工业控制：PLC、逆变器和UPS等工业设备中的功率开关
汽车电子：车载充电器和电源管理系统中的功率元件
STW14NK50Z在这些应用中展现了高可靠性、高效率的优势，是工程师设计功率电路的优选器件。
明佳达供应信息
明佳达电子作为专业电子元器件分销商，目前备有STW14NK50Z的现货库存，所有产品均为原装正品，提供完整质量保证。STW14NK50Z采用TO-247封装，包装方式为管装(Tube)，可满足客户从样品需求到批量生产的各类采购需求。
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