Infineon CoolSiC ™ MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化可提供最低应用损耗和最高运行可靠性。 该分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，提供650V、1200V和1700V电压等级可选，额定的导通电阻为27mΩ至1000mΩ。深圳市明佳达电子有限公司大量收购Infineon 650V、…
Infineon CoolSiC ™ MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化可提供最低应用损耗和最高运行可靠性。 该分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，提供650V、1200V和1700V电压等级可选，额定的导通电阻为27mΩ至1000mΩ。
深圳市明佳达电子有限公司大量收购Infineon 650V、1200V和1700V电压等级的CoolSiC™ MOSFET，公司长期以高价现金回收个人库存、工厂库存、海关扣押、寄售、代销、清仓等深度垂直服务，公司凭借雄厚的经济实力和良好的商业信誉，迅速在世界各地赢得了众多工厂客户的信赖，建立了长期合作关系。
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