深圳市明佳达电子有限公司【供应】ON IGBT 沟槽型场截止 FGH60T65SQD-F155 650 V 120 A 333 W 通孔 TO-247-3。详细:FGH60T65SQD-F155安森美半导体的新系列场截止第四代IGBT采用新颖的场截止IGBT技术,提供最佳的场截止性能。该器件为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、…
深圳市明佳达电子有限公司【供应】ON IGBT 沟槽型场截止 FGH60T65SQD-F155 650 V 120 A 333 W 通孔 TO-247-3。
详细:
FGH60T65SQD-F155安森美半导体的新系列场截止第四代IGBT采用新颖的场截止IGBT技术,提供最佳的场截止性能。该器件为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS及PFC提供最佳性能。
特性
最高结温TJ =175°C
具有正温度系数,便于并联工作
大电流能力
低饱和电压VCE(sat) =1.6V(典型值,IC=60A时)
零件100%经过ILM(1) 测试
高输入阻抗
快速开关
精确的参数分配
符合RoHS指令
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