昨(25)日上午,三星电子在韩国京畿道华城厂举行3nm芯片出货仪式,韩国产业通商资源部长、三星电子DS部门负责人、高管和员工、供应商和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。
据报道,昨(25)日上午,三星电子在韩国京畿道华城厂举行3nm芯片出货仪式,韩国产业通商资源部长、三星电子DS部门负责人、高管和员工、供应商和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。
报道称,DS部门负责人在致辞中表示,“三星电子凭借此次量产在代工业务上取得了成功。GAA技术的早期开发成功,将成为FinFET晶体管达到技术极限时的新替代品,是一项从无到有的产品创新结果。”
据悉,三星电子3nm芯片采用GAA晶体管结构,与5nm芯片相比,3nm芯片可降低多达45%的功耗,同时提升23%的性能和减少16%的尺寸。
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