深圳市明佳达电子有限公司（出售、回收）（Infineon）IRS2008MTRPBF 200 V半桥栅极驱动器IC，具有关断和VCC&VBS UVLO功能。概述IRS2008MTRPBF是200 V 半桥栅极驱动器IC，它采用MLPQ 4 x 4 14L封装，具有关断输入、典型的0.29 A源电流和0.6 A灌电流，适用于MOSFET。IR…
深圳市明佳达电子有限公司（出售、回收）（Infineon）IRS2008MTRPBF 200 V半桥栅极驱动器IC，具有关断和VCC&VBS UVLO功能。
概述
IRS2008MTRPBF是200 V 半桥栅极驱动器IC，它采用MLPQ 4 x 4 14L封装，具有关断输入、典型的0.29 A源电流和0.6 A灌电流，适用于MOSFET。
IRS2008是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低端基准输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了加固型单片结构。逻辑输入与低至3.3 V逻辑的标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。在工作电压高达200 V的高端配置中，浮动沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。匹配传播延迟可简化HVIC在高频应用中的使用。
特点
•每个通道的栅极驱动电源最高可达20 V
•VCC、VBS的欠压闭锁
•3.3 V、5 V、15 V输入逻辑兼容
•耐受负瞬态电压
•设计用于自举电源
•交叉传导预防逻辑
•两个通道的匹配传播延迟
•内部设置死区时间
•高端输出与输入同相
•关断输入关闭两个通道
•工作温度范围：-40°C至125°C
•符合RoHS规范
典型应用
•家电电机驱动器，步进电机，伺服驱动器
•微型逆变器驱动器
•通用三相逆变器
•轻型电动车（电动自行车、电动滑板车、电动玩具）
•无线充电
•一般电池驱动应用
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