概述：采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无引线超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面安装器件 (SMD) 塑料封装。产品型号：PMZ290UNE2年份：21+FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25C 时电流 - 连续漏极…
概述：采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无引线超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面安装器件 (SMD) 塑料封装。
产品型号：PMZ290UNE2
年份：21+
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 320 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），5.43W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： SOT-883
封装/外壳： SC-101，SOT-883
特点和优势
• 沟槽 MOSFET 技术
• 低阈值电压
• 开关速度极快
• 静电放电 (ESD) 保护：2 kV HBM
• 无引线超小型 SMD 塑料封装：1.0 x 0.6 x 0.48 毫米
应用
• 继电器驱动器
• 高速线路驱动器
• 低压侧负载开关
• 开关电路
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