1、说明QPC3025是一款绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SPDT）开关，设计用于4G/5G无线基础设施应用和其他高性能通信系统。它采用对称拓扑结构，具有低插入损耗和出色的线性度。该开关可在50欧姆负载下处理高达20 W CW和30 W脉冲功率。RF端口上不需要隔直电容。交换机端口具有…
1、说明
QPC3025是一款绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SPDT）开关，设计用于4G/5G无线基础设施应用和其他高性能通信系统。它采用对称拓扑结构，具有低插入损耗和出色的线性度。该开关可在50欧姆负载下处理高达20 W CW和30 W脉冲功率。RF端口上不需要隔直电容。交换机端口具有反射性。QPC3025兼容+1.8 V逻辑，具有单引脚解决方案，可禁用负电压发生器，并在必要时从片外提供负电压。
QPC3025 采用符合 RoHS 标准的紧凑型 5 x 5 mm 表面贴装无引线封装。
2、应用
• 无线基础设施
• 宏基站或微微蜂窝基站
• 中继器
3、关键性能
工作频率：30 MHz至4200 MHz
对称单刀双掷
0.35 dB插入损耗
30W脉冲功率处理能力
高隔离度：40 dB（2 GHz）
VCTRL线路中的1.8 V逻辑兼容
ESD HBM等级：2级
兼容2.7-5.0 V电源
紧凑尺寸：5.0 X 5.0 mm
深圳市明佳达电子有限公司供应且回收Qorvo QPC3025 30 MHz至4.2 GHz高功率反射式单刀双掷开关。
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