意法半导体 STL33N60DM2 功率MOSFET N沟道600 V、0.115 Ohm典型值

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意法半导体 STL33N60DM2 功率MOSFET N沟道600 V、0.115 Ohm典型值

来源：本站时间：2024-01-10浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司意法半导体 STL33N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET，全新原装，质量保证！产品型号：STL33N60DM2系列： MDmesh™ DM2 产品状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25C 时电流 - 连…

深圳市明佳达电子有限公司意法半导体 STL33N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET，全新原装，质量保证！

产品型号：STL33N60DM2

系列： MDmesh™ DM2

产品状态：在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 @ 10.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装： PowerFlat™（8x8）HV

封装/外壳： 8-PowerVDFN

介绍

意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复二极管系列 600V 功率 MOSFET，特别适合 ZVS 相移桥拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr)，并有低 20% 的 RDS（on）（相比前一代产品）。高 dV/dt 强度（40V/ns），确保更高系统可靠性。

特性