深圳市明佳达电子有限公司（供应）（回收）MASTERGAN4（ST）采用两个增强型GaN HEMT的高功率密度6.5A半桥驱动器。概述：MasterGaN4是一款先进的电源系统级封装，在半桥配置中集成了一个栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管。集成电源GAN具有650 V漏源阻断电压和225 mΩ的…
深圳市明佳达电子有限公司（供应）（回收）MASTERGAN4（ST）采用两个增强型GaN HEMT的高功率密度6.5A半桥驱动器。
概述：
MasterGaN4是一款先进的电源系统级封装，在半桥配置中集成了一个栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管。集成电源GAN具有650 V漏源阻断电压和225 mΩ的RDS（ON），而嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。
MasterGaN4在较低和较高驱动部分均具有UVLO保护功能，可防止电源开关在低效率或危险条件下工作，联锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。
MasterGaN4可在-40°C至125°C的工业温度范围内工作。该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。
产品特性：
电源系统级封装，集成半桥栅极驱动器和高压GaN晶体管：
BVDSS=650V
RDS(ON)=150mΩ
IDS(MAX)=10A
反向电流能力
零反向恢复损耗
低侧和高侧UVLO保护
内置自举二极管
联锁功能
专用引脚，用于关断功能
精确的内部时序匹配
3.3V至15V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
过温保护
材料清单减少
超紧凑、简化的布局
灵活、简单、快速的设计
应用：
•开关模式电源
•充电器和适配器
•高压PFC、DC-DC和DC-AC转换器
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