安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模块

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安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模块

来源：本站时间：2025-03-19浏览数：

安森美(onsemi)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。

2025年3 月 19日--安森美(onsemi)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等应用中的电子换向（EC）风机。

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EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美 IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖 15A 至 35A 的低电流）形成互补，提供从 40A 到 70A 的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。

随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。

随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对 EC 风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。 SiC IPM 可确保 EC 风机以更高能效可靠运行。

与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC 风机需要比现有较大的 IGBT 解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前 IGBT 功率集成模块 (PIM) 的系统解决方案相比，在 70% 负载时的功率损耗为 500W，而采用高效的 EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个 EC 风机的年能耗和成本降低 52%。

全集成的 EliteSiC SPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路 (LVIC)、六个 EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器（电压温度传感器 (VTS) 或热敏电阻）。该模块基于业界领先的 M3 SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用 SPM 31 封装提高短路耐受时间 (SCWT) ，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET 采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。

此外，EliteSiC SPM 31 IPM 还包括以下优势：