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供应功率晶体管 IKW40N65ES5 IGBT 单管,采用 TO247 封装

供应功率晶体管 IKW40N65ES5 IGBT 单管,采用 TO247 封装

来源:本站时间:2023-12-30浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司全新原装供应功率晶体管 IKW40N65ES5 IGBT 沟道 650 V 79 A 230 W 通孔 PG-TO247-3 描述采用 TO247 封装的英飞凌 650 V,40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT 适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用,可实现高效率和更快的产品上市周期,降…

深圳市明佳达电子有限公司全新原装供应功率晶体管 IKW40N65ES5 IGBT 沟道 650 V 79 A 230 W 通孔 PG-TO247-3 


描述

采用 TO247 封装的英飞凌 650 V,40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT 适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用,可实现高效率和更快的产品上市周期,降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。


特征描述

在 25°C 下, VCEsat 低至 1.35 V,比 TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20%

Ic 脉冲电流的 4 倍 (100°C Tc)

软电流下降特性,无尾电流

对称的,电压过冲

栅极电压受到控制(无振动)。没有不必要的设备导通风险,也不需要栅极箝位

最高结温 Tvj = 175°C

质量符合 JEDEC 标准


优势

不需要 VCEpeak 箝位电路

不需要栅极箝位元件

出色的 EMI 行为

非常适合并联


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