供应存储IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 闪存

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供应存储IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 闪存

来源：本站时间：2023-12-12浏览数：

明佳达电子进口原装供应存储IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 闪存，质量保证，价格优势，欢迎致电！器件概述S25FL128SAGMFI000 NOR 闪存器件是一款 2.7V 至 3.6V / 1.65V 至 3.6V VIO 伏特非易失性存储器，采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术。128-Mb S25FL12…

明佳达电子进口原装供应存储IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 闪存，质量保证，价格优势，欢迎致电！

器件概述

S25FL128SAGMFI000 NOR 闪存器件是一款 2.7V 至 3.6V / 1.65V 至 3.6V VIO 伏特非易失性存储器，采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术。128-Mb S25FL128S FL-S NOR 采用带页编程缓冲器的 Eclipse 架构设计，允许用户在一次操作中编程多达 128 个字（256 字节），与上一代 SPI 编程或擦除算法相比，编程和擦除速度更快。该器件通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统的 SPI 单位串行输入和输出（Single I/O 或 SIO）、可选的两位（Dual I/O 或 DIO）和四位（Quad I/O 或 QIO）串行命令。

作为 FL-S 系列的一部分，S25FL128S FL-S NOR 支持 SIO、DIO 和 QIO 的双倍数据速率 (DDR) 读取命令，可在时钟的两个边沿上传输地址和读取数据。在 QIO 或 DDR-QIO 命令支持的更高时钟速率下使用 FL-S 器件，指令读取传输速率可与传统的并行接口异步 NOR 闪存相媲美，甚至更快，同时还能显著减少信号数量。S25FL128S FL-S NOR 不仅具有高密度性能，还具有各种嵌入式应用所需的灵活性和速度。

产品特点