MAX17510ATB：一款内置n沟道MOSFET的低电压DDR线性稳压器

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MAX17510ATB：一款内置n沟道MOSFET的低电压DDR线性稳压器

来源：本站时间：2025-03-10浏览数：

概述MAX17510ATB是一款低电压、DDR线性稳压器，具有低成本、低电压的特点。该产品适用于需要低电压和DDR电压调节的场景，输入电压范围为1.1V到3.6V，输出电压范围为0.5V到1.5V，最大输出电流为3A（典型值）‌。MAX17510ATB稳压器使用独立的3.3V偏置电源为控制电路供电，并…

概述

MAX17510ATB是一款低电压、DDR线性稳压器，具有低成本、低电压的特点。该产品适用于需要低电压和DDR电压调节的场景，输入电压范围为1.1V到3.6V，输出电压范围为0.5V到1.5V，最大输出电流为3A（典型值）‌。MAX17510ATB稳压器使用独立的3.3V偏置电源为控制电路供电，并驱动内部n沟道MOSFET。

MAX17510ATB具有电流和温度限制功能，以防线性稳压器损坏。另外，MAX17510ATB能够产生电源就绪(PGOOD)信号，指示输出是否在稳压范围。启动时，PGOOD在输出稳定2ms (典型值)之前保持低电平。内部软启动限制了输入浪涌电流。

MAX17510ATB因其低成本、低电压和高效能的特点，在需要低功耗和稳定电压输出的应用中表现出色。其内置的n沟道MOSFET进一步提升了其在各种电子设备中的适用性。

关键特性

宽输入电压范围‌：MAX17510ATB支持1.1V至3.6V输入，适配低电压电源场景‌。

灵活输出电压‌：MAX17510ATB可调范围为0.5V至1.5V，满足DDR存储器等低压负载需求‌。

高电流输出能力‌：集成n沟道MOSFET，MAX17510ATB支持3A峰值电流（典型值），适用于动态负载场景‌。

封装与尺寸‌：采用10引脚TDFN-EP封装（3mm×3mm），节省PCB空间‌。

保护功能‌：MAX17510ATB内置过流保护、热关断及软启动功能，提升系统可靠性‌。

高效控制特性‌：MAX17510ATB支持外部基准输入跟踪，动态调节输出电压，适配DDR终端总线供电‌。

低功耗设计‌：静态电流低，支持关断模式，优化能效‌。

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