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(出售,收购)英飞凌晶体管 IAUC60N04S6N050 车规级MOSFET

(出售,收购)英飞凌晶体管 IAUC60N04S6N050 车规级MOSFET

来源:本站时间:2023-11-16浏览数:

明佳达公司(出售,收购)英飞凌晶体管 IAUC60N04S6N050 车规级MOSFET - 阵列 40V 60A(Tj) 52W(Tc) 表面贴装型 PG-TDSON-8-57型号:IAUC60N04S6N050批次:新23+系列:OptiMOS™介绍Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件,性能极为出…

明佳达公司(出售,收购)英飞凌晶体管 IAUC60N04S6N050 车规级MOSFET - 阵列 40V 60A(Tj) 52W(Tc) 表面贴装型 PG-TDSON-8-57


型号:IAUC60N04S6N050

批次:新23+

系列:OptiMOS™


介绍

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件,性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术,显著提升了性能。与同类产品相比,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30%,并针对同步整流进行了优化。


另外,该器件具有更高的品质因数(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd),可让设计人员提高效率并降低系统成本。OptiMOS 6保持了输出更高功率的优势,其中RDS(on) 损耗显著降低,从而在整个工作范围内进一步提高了性能。


产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 74 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 13 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 52 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

下降时间: 3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 1 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 6 ns

典型接通延迟时间: 3 ns


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