明佳达电子供应车规级MOSFET IAUT300N08S5N014 表面贴装型 N 通道 80 V 300A（DC） 300W（Tc） PG-HSOF-8-1型号：IAUT300N08S5N014 年份：新、描述：80V、N-Ch、最大 1.4 mΩ、汽车 MOSFET、TOLL、OptiMOS™-5 晶体管产品属性系列： OptiMOS™-5 包装： 卷带（TR）剪切带…
明佳达电子供应车规级MOSFET IAUT300N08S5N014 表面贴装型 N 通道 80 V 300A（DC） 300W（Tc） PG-HSOF-8-1
年份：新、
描述：80V、N-Ch、最大 1.4 mΩ、汽车 MOSFET、TOLL、OptiMOS™-5 晶体管
产品属性
系列： OptiMOS™-5
包装： 卷带（TR）剪切带（CT）
产品状态 ：在售
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：300A（DC）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 187 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13178 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）： 300W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
封装/外壳： 8-PowerSFN
总结
英飞凌OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。
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