明佳达电子供应车规级MOSFET IAUT300N08S5N014 表面贴装型 N 通道 80 V 300A(DC) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1型号:IAUT300N08S5N014 年份:新、描述:80V、N-Ch、最大 1.4 mΩ、汽车 MOSFET、TOLL、OptiMOS™-5 晶体管产品属性系列: OptiMOS™-5 包装: 卷带(TR)剪切带…
明佳达电子供应车规级MOSFET IAUT300N08S5N014 表面贴装型 N 通道 80 V 300A(DC) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1
年份:新、
描述:80V、N-Ch、最大 1.4 mΩ、汽车 MOSFET、TOLL、OptiMOS™-5 晶体管
产品属性
系列: OptiMOS™-5
包装: 卷带(TR)剪切带(CT)
产品状态 :在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :300A(DC)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 187 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13178 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
总结
英飞凌OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求,同时可降低系统成本。相较于其他备选器件,这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术,经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。
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