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Winbond内存芯片 W632GU6MB-12 动态随机存取存储器 2Gb DDR3L 1.35V

Winbond内存芯片 W632GU6MB-12 动态随机存取存储器 2Gb DDR3L 1.35V

来源:本站时间:2023-10-26浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司原装现货出售Winbond W632GU6MB-12 动态随机存取存储器 IC 2Gb 并联 800 MHz 20 ns 96-VFBGA(7.5x13)制造商:Winbond Electronics产品型号:W632GU6MB-12年份:1822+描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA产品属性产品种类: 动态随机存取存储器…

深圳市明佳达电子有限公司原装现货出售Winbond W632GU6MB-12 动态随机存取存储器 IC 2Gb 并联 800 MHz 20 ns 96-VFBGA(7.5x13)


制造商:Winbond Electronics

产品型号:W632GU6MB-12

年份:1822+

描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA


产品属性

产品种类: 动态随机存取存储器  

类型: SDRAM - DDR3L  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: VFBGA-96  

数据总线宽度: 16 bit  

组织: 128 M x 16  

存储容量: 2 Gbit  

最大时钟频率: 800 MHz  

电源电压-最大: 1.45 V  

电源电压-最小: 1.283 V  

电源电流—最大值: 145 mA  

最小工作温度: 0 C  

最大工作温度: + 95 C  

系列: W632GU6MB   

湿度敏感性: Yes  

产品类型: DRAM  

工厂包装数量: 198  

子类别: Memory & Data Storage


华邦 DRAM 产品组合

华邦的 DRAM 产品组合包括适用于消费、通信、外设、工业和汽车市场的移动 RAM 和专用 DRAM。特种 DRAM 具有高性能和高速度的特点,可提供完整的解决方案。SDR、DDR、DDR2 和 DDR3 具有 AEC-Q100、TS16949、ISO9001/14001、OHSAS18001 认证,支持工业和汽车应用。Winbond 为 KGD 客户提供专业建议,包括 SiP 封装接合和电源/热、DRAM 仿真、晶圆级速度测试等。


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