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[供应,回收] S29GL01GT10TFI010(英飞凌)FLASH - NOR 存储器 IC,56-TSOP

[供应,回收] S29GL01GT10TFI010(英飞凌)FLASH - NOR 存储器 IC,56-TSOP

来源:本站时间:2023-10-24浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司 [供应,回收] S29GL01GT10TFI010(英飞凌)FLASH - NOR 存储器 IC,56-TSOP产品描述S29GL01GT10TFI010 是采用 45 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。该器件的页面访问时间快至 15 ns,相应的随机访问时间快至 100 ns。它具有一个写入缓…

深圳市明佳达电子有限公司 [供应,回收] S29GL01GT10TFI010(英飞凌)FLASH - NOR 存储器 IC,56-TSOP


产品描述

S29GL01GT10TFI010 是采用 45 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。该器件的页面访问时间快至 15 ns,相应的随机访问时间快至 100 ns。它具有一个写入缓冲器,一次操作最多可对 256 个字/512 个字节进行编程,因此有效编程时间比标准编程算法更快。


产品属性

存储器类型:非易失

存储器格式:闪存

技术:FLASH - NOR

存储容量:1Gb

存储器组织:128M x 8

存储器接口:并联

写周期时间 - 字,页:60ns

访问时间:100 ns

电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

供应商器件封装:56-TSOP


产品特性

45 纳米 MIRRORBIT™ 技术

用于读取/编程/擦除的单电源(VCC)(2.7 V 至 3.6 V)

多功能 I/O 功能

- 宽 I/O 电压范围 (VIO): 1.65 V 至 VCC

×8/×16 数据总线

异步 32 字节页面读取

512 字节编程缓冲区

- 以页面倍数编程,最大可达 512 字节

单字和多字编程选项

自动错误检查和纠正 (ECC) - 具有单位错误纠正功能的内部硬件 ECC

扇区擦除 - 128KB 统一扇区


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