深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] S29GL01GT10TFI010（英飞凌）FLASH - NOR 存储器 IC，56-TSOP产品描述S29GL01GT10TFI010 是采用 45 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。该器件的页面访问时间快至 15 ns，相应的随机访问时间快至 100 ns。它具有一个写入缓…
深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] S29GL01GT10TFI010（英飞凌）FLASH - NOR 存储器 IC，56-TSOP
产品描述
S29GL01GT10TFI010 是采用 45 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。该器件的页面访问时间快至 15 ns，相应的随机访问时间快至 100 ns。它具有一个写入缓冲器，一次操作最多可对 256 个字/512 个字节进行编程，因此有效编程时间比标准编程算法更快。
产品属性
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：1Gb
存储器组织：128M x 8
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：60ns
访问时间：100 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：56-TSOP
产品特性
45 纳米 MIRRORBIT™ 技术
用于读取/编程/擦除的单电源（VCC）（2.7 V 至 3.6 V）
多功能 I/O 功能
- 宽 I/O 电压范围 (VIO)： 1.65 V 至 VCC
×8/×16 数据总线
异步 32 字节页面读取
512 字节编程缓冲区
- 以页面倍数编程，最大可达 512 字节
单字和多字编程选项
自动错误检查和纠正 (ECC) - 具有单位错误纠正功能的内部硬件 ECC
扇区擦除 - 128KB 统一扇区
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