明佳达全新原装ON NTMFS4C028NT1G N沟道 MOSFET 晶体管 - FET，大量库存现货，质量保证，欢迎咨询！
NTMFS4C028 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。
产品属性
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1252 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线
应用
CPU 供电
DC-DC 转换器
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