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供求英飞凌晶体管 AIKB50N65DF5ATMA1_AIKB50N65DH5ATMA1 分立式IGBT

供求英飞凌晶体管 AIKB50N65DF5ATMA1_AIKB50N65DH5ATMA1 分立式IGBT

来源:本站时间:2023-08-28浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司供求英飞凌晶体管 AIKB50N65DF5ATMA1_AIKB50N65DH5ATMA1 TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT,只要原装正品,如代理商、贸易商、终端工厂等。型号:AIKB50N65DF5ATMA1_AIKB50N65DH5ATMA1年份:最新描述:IGBT NPT 650 V 50 A 表面贴装型 PG-TO263-3-2说…

深圳市明佳达电子有限公司供求英飞凌晶体管 AIKB50N65DF5ATMA1_AIKB50N65DH5ATMA1 TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT,只要原装正品,如代理商、贸易商、终端工厂等。


型号:AIKB50N65DF5ATMA1_AIKB50N65DH5ATMA1

年份:最新

描述:IGBT NPT 650 V 50 A 表面贴装型 PG-TO263-3-2


说明

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化,以提供最佳效率,弥补MOSFET和IGBT之间的差距。与目前领先解决方案相比,F5系列显著降低了开关损耗。目标拓扑为不间断电源 (UPS)、逆变焊机和开关电源 (SMPS) 等应用中常见的升压级、PFC(交流-直流)级和高压直流-直流拓扑。650V TRENCHSTOP™ 5 F5 IGBT与碳化硅二极管共同针对低电感设计,提供的效率比650V TRENCHSTOP™ 5 H5系列高出1%。F5产品需要的设计工作更多,但回报也更高。


属性

产品种类: IGBT 晶体管

封装 / 箱体: TO-263-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.6 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 80 A

Pd-功率耗散: 305 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C


应用

太阳能逆变器

UPS

焊接变流器

中高频开关变频器


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