深圳市明佳达电子提供英飞凌N 沟道功率 MOSFET（IPW60R120P7）600V CoolMOS™ P7 超级结 (SJ) MOSFET，CoolMOS™ 第 7 代平台同类最佳的 R onxA 和固有的低栅极电荷 (Q G) 确保了它的高效率。功能概述特点-适用于硬开关和软开关（PFC 和 LLC），具有出色的换向强度-显著降…
深圳市明佳达电子提供英飞凌N 沟道功率 MOSFET（IPW60R120P7）600V CoolMOS™ P7 超级结 (SJ) MOSFET，CoolMOS™ 第 7 代平台同类最佳的 R onxA 和固有的低栅极电荷 (Q G) 确保了它的高效率。
功能概述
特点
-适用于硬开关和软开关（PFC 和 LLC），具有出色的换向强度
-显著降低开关和传导损耗
-对所有产品而言，ESD 稳定性均优于 2kV（HBM）
-较低的 RDS(on)*A（低于 1 欧姆*mm²）使 RDS(on)/封装产品优于同类产品
-通过 JEDEC 工业应用认证
优点
-通过在全功率变流器和全功率调制器级之间降低绕组频率和使用率，实现轻松使用和快速设计
-简化了热管理，从而降低了开关和传导损耗
-通过使用具有更小尺寸和更大尺寸的产品，实现了功率密度更高的解决方案。
通过使用具有更小尺寸和更高制造质量的产品来实现更高的功率密度解决方案，从而实现>2kVESD 保护
-适用于各种应用和功率范围
潜在应用
PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级，例如 PCSilverbox、适配器、LCD&PDPTV、照明、服务器、电信和 UPS。
参数：IPW60R120P7
ID (@25°C) 最大： 29 A
ID 最大： 29 A
IDpuls 最大： 78 A
安装： THT
工作温度 最小值 最大值： -55 °C 150 °C
最大功率： 95 W
封装： TO247
引脚数： 3 引脚
极性： N
QG（典型值 @10V）： 36 nC
QG： 36 nC
Qgd： 11 nC
RDS (接通) (@10V) 最大： 120 mΩ
RDS (接通) 最大值： 120 mΩ
Rth： 1.31 K/W
RthJA 最大： 62 K/W
RthJC 最大： 1.31 K/W
VDS 最大： 600 V
VGS(th) 最小值 最大值： 3.5 V 3 V 4 V
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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