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碳化硅技术领域的全球引领者 Wolfspeed（NYSE: WOLF）于近日发布了全新的第 4 代技术平台，该平台从设计端就考虑耐久性和高效性，同时还能降低系统成本、缩短开发时间。第 4 代技术专为简化大功率设计中常见的开关行为和设计挑战而设计，并为 Wolfspeed 的各类产品（包括功率模块、分立元件和裸芯片产品）制定了长远的发展规划路线图。这些产品目前有 750 V、1200 V 和 2300 V 等级可供选择。

Wolfspeed 功率产品高级副总裁 Jay Cameron 表示：“我们知道，每个应用的设计都有一系列独特的要求。从一开始，我们对第 4 代技术的目标就是提高实际运行环境中的整体系统效率，重点是在系统层面提供最高性能。第 4 代技术使得设计工程师能够打造出更高效、使用寿命更长，在恶劣运行环境中也有良好运行表现的系统，而且在整体系统成本方面也有更好的表现。”

碳化硅技术是功率器件市场和更广泛的半导体行业中发展最为迅速的板块之一。作为硅的卓越替代品，碳化硅是大功率应用（例如，电动汽车动力总成、电动交通、可再生能源系统、电池储能系统和 AI 数据中心）的理想选择，不仅可提升性能，还可降低系统成本。

随着全球都在寻求更高效、更环保的解决方案，以满足世界对高压能源日益增长的需求，必须继续进行战略投资，以巩固其技术优势，同时继续推动在关键技术领域的创新。

美国公用事业规模逆变器制造商 EPC Power 总裁兼首席产品官 Devin Dilley 表示：“创新技术带来了商机。Wolfspeed 的全新第 4 代碳化硅技术使 EPC Power 能够在全球范围内实现能源产生和存储方式的颠覆性变革。”

Wolfspeed 执行董事长 Tom Werner 表示：“Wolfspeed 一直坚持不懈地推动持续创新，并将我们的碳化硅解决方案带给越来越多的行业，以应对那些日益具有挑战性的应用场景。我们的第 4 代技术将依托我们的高效 200 mm 晶圆交付，这将使我们能够实现该行业前所未有的生产规模和良率水平。”

Wolfspeed 的第 4 代技术旨在全面提高系统效率，延长应用寿命，即使在最恶劣的环境中也不例外，同时有助于降低系统成本、缩短开发时间。该技术将为大功率汽车、工业和可再生能源系统的设计人员带来显著的性能提升，主要优势包括：

整体系统效率：在工作温度下，导通电阻降低高达 21%，开关损耗降低高达 15%。

耐久性：确保可靠的性能，包括高达 2.3 μS 的短路耐受时间，以提供额外的安全余量。

更低的系统成本：简化设计流程，降低系统成本、缩短开发时间。

产品供应

Wolfspeed 的第 4 代技术提供 750 V、1200 V 和 2300 V 三种电压节点规格，并有功率模块、分立元件及裸芯片产品可供选择。2025 年全年和 2026 年初将陆续推出新产品，包括更多的封装尺寸以及各种 RDSON 系列。

第 4 代技术情况说明书内容：

持久耐用设计，从容应对最严苛环境

随着汽车、工业和可再生能源制造商不断推动产品电气化，产品的可靠性和耐用性变得至关重要。Wolfspeed 第 4 代技术的设计理念以此为目标，将耐用性作为关键预期加以打造。

第 4 代技术具有高达 2.3 μS 的短路耐受时间，可为关键应用提供额外的安全余量。此外，与以前的技术相比，该平台的失效率 (FIT) 能够实现高达 100 倍的改善，确保了在不同海拔高度下都能拥有可靠的性能表现。体二极管设计提升了系统的耐用性，可以实现更快的开关速度，减少损耗并降低振铃现象，使 VDS 过冲降低 80%。第 4 代裸芯片能够胜任 185 °C 的连续运行工况以及 200 °C 的有限寿命运行工况，为面向高温应用场景的产品开发和推向市场带来积极作用。这使得设计人员能够灵活地将其设计推向极致性能。

整体系统效率：旨在全面提升系统效率

第 4 代技术在整体效率方面达到一个重要里程碑阶段。无论是软开关还是硬开关应用，Wolfspeed 的第 4 代技术在工作温度条件下可使比导通电阻降低达 21%；而在硬开关应用中，得益于第 4 代技术，开关损耗降低幅度达到 15%。

这些效率提升优势与第 4 代技术的高温导通电阻这一特性相互配合，进一步体现出 Wolfspeed 致力于确保产品在实际应用场景中展现可靠性能的决心与承诺。

系统成本降低：旨在降低系统成本、缩短开发时间

为了解决系统成本顾虑，Wolfspeed 的新平台能够采用更小、更经济实惠的无源和滤波元件，最终达到缩短系统开发时间、降低成本的目的。此外，第 4 代技术能够实现在相同的封装尺寸范围内，将功率输出提升多达 30%。第 4 代技术能够集成一种新型软恢复体二极管的设计，可显著降低反向恢复期间的 EMI，简化 EMI 认证流程，并可实现采用更小尺寸的 EMI 滤波器。第 4 代 MOSFET 器件的电容比高达 600，可在高 dV/dt 下实现更安全、更平滑的开关动作，而不会出现寄生过冲现象。