深圳市明佳达电子供应IGBT晶体管 IGW30N60H3 600V 高速开关系列第三代 600V HI SPEED SW IGBTIGW30N60H3产品介绍采用 TO247 封装的高速 600 V、30 A 单通道 TRENCHSTOP™ IGBT3 在开关和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是具有类似 MOSFET 的关断开关行为，…
深圳市明佳达电子供应IGBT晶体管 IGW30N60H3 600V 高速开关系列第三代 600V HI SPEED SW IGBT
IGW30N60H3产品介绍
采用 TO247 封装的高速 600 V、30 A 单通道 TRENCHSTOP™ IGBT3 在开关和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是具有类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现了较低的关断损耗。
IGW30N60H3产品属性
制造商: Infineon
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 187 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
IGW30N60H3产品应用：
不间断电源
焊接转换器
带高频开关的转换器
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