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N沟道MOSFET_IRFH7084TRPBF_StrongIRFET™ 功率 MOSFET

N沟道MOSFET_IRFH7084TRPBF_StrongIRFET™ 功率 MOSFET

来源:本站时间:2025-02-13浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司出售英飞凌(Infineon)采用 PQFN 5x6 封装的 40V N沟道MOSFET_IRFH7084TRPBF_StrongIRFET™ 功率 MOSFET产品说明英飞凌 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。这…

深圳市明佳达电子有限公司出售英飞凌(Infineon)采用 PQFN 5x6 封装的 40V N沟道MOSFET_IRFH7084TRPBF_StrongIRFET™ 功率 MOSFET


产品说明

英飞凌 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。这些 MOSFET 具有业内最高的载流能力。这一特性提高了坚固性和可靠性,适用于需要高效率和高可靠性的高功率密度应用。


这些应用包括电池供电电路、电动工具等终端应用中使用的有刷和无刷直流(BDLC)电机驱动器。它们还可用于要求高能效的轻型电动汽车和电动自行车。


特点

 针对逻辑电平驱动进行了优化

 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 强度

 完全特性化的电容和雪崩 SOA

 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力

 无铅

 符合 RoHS 规范,无卤素

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应用

 半桥和全桥拓扑结构

 同步整流器应用

 谐振模式电源

 DC/DC 转换器

 DC/AC 逆变器


优势

 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 强度

 全面鉴定电容和雪崩 SOA

 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力

 无铅,符合 RoHS 规范


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