明佳达电子有限公司推出东芝《TK10A80E》MOSFET 硅 N 沟道 MOS (π-MOSVIII) 质量保证 全新原装制造商： Toshiba Semiconductor and Storage 产品编号： TK10A80E描述： MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS 年份：新23+详细描述： 通孔 N 通道 800 V 10A（Ta） 50W（Tc） …
明佳达电子有限公司推出东芝《TK10A80E》MOSFET 硅 N 沟道 MOS (π-MOSVIII) 质量保证 全新原装
制造商： Toshiba Semiconductor and Storage
产品编号： TK10A80E
描述： MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
年份：新23+
详细描述： 通孔 N 通道 800 V 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
特点
(1) 低漏极-源极导通电阻： RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）
(2) 低漏电流：IDSS = 10 µA（最大值）（VDS = 640 V）
(3) 增强模式： Vth = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
应用
开关稳压器
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