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(Infineon)650V IKW30N65EL5XKSA1 IGBT优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能

(Infineon)650V IKW30N65EL5XKSA1 IGBT优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能

来源:本站时间:2023-08-09浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司回收、供应(Infineon)650V IKW30N65EL5XKSA1 IGBT优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。介绍:Infineon TRENCHSTOP™ 5 L5(低饱和5)IGBT处于开关频率范围的另一端,优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20…

深圳市明佳达电子有限公司回收、供应(Infineon)650V IKW30N65EL5XKSA1 IGBT优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。


介绍:

Infineon TRENCHSTOP™ 5 L5(低饱和5)IGBT处于开关频率范围的另一端,优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对Infineon L5进行了专门优化。L5还具有以下特性:针对30A IGBT的1.05V低VCE(sat)、无功功率模式下cosφ<1时开关损耗最低以及电气参数的热稳定性高。采用低速开关器件的1.05V VCE(sat) TRENCHSTOP™ 5 L5可实现新的效率水平。


特性:

采用低VCE(sat) L5技术的优势如下:

极低集电极-发射极饱和电压 (VCEsat)

兼具出色的导通和开关损耗

650V击穿电压

低栅极电荷

最高结温:175°C

按照JEDEC标准符合目标应用要求

无铅

符合RoHS指令


IKW30N65EL5XKSA1 技术参数:

电压 - 集射极击穿(最大值):650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):85 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,30A

功率 - 最大值:227 W

开关能量:470µJ(开),1.35mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:168 nC

25°C 时 Td(开/关)值:33ns/308ns

测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):100 ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:PG-TO247-3

基本产品编号:IKW30N65


产品.png

应用:

UPS

太阳能光伏逆变器

焊接机


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