深圳市明佳达电子有限公司供应、（回收IGBT）1200V IKY40N120CS6 沟槽型场截止晶体管 通孔 PG-TO247-4-2。概述：IKY40N120CS6 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6设计用于实现高效率、低导通损耗。这些TRENCHSTOP IGBT6具有如下特性：低栅极电荷、低电磁干扰 (EMI)、可轻松实现并联…
深圳市明佳达电子有限公司供应、（回收IGBT）1200V IKY40N120CS6 沟槽型场截止晶体管 通孔 PG-TO247-4-2。
概述：
IKY40N120CS6 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6设计用于实现高效率、低导通损耗。这些TRENCHSTOP IGBT6具有如下特性：低栅极电荷、低电磁干扰 (EMI)、可轻松实现并联、在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。TRENCHSTOP IGBT6包括两个产品系列，即经优化实现了低导通损耗的S6系列以及具有更低开关损耗的H6系列。这些IGBT6是上一代HighSpeed3 H3 IGBT的即插即用型替代器件，且简单易用。
TRENCHSTOP IGBT6采用沟槽和场终止技术，具有软恢复和快速恢复反向并联二极管。得益于VCEsat中的正温度系数，这些1200V TRENCHSTOP IGBT6可轻松实现并联。典型应用包括工业UPS、能量存储、三级太阳能电池组、逆变器和焊接。
特性：
低导通损耗
低开关损耗
硬开关和谐振拓扑中的高效率
低EMI
低栅极电荷
得益于VCEsat中的正温度系数，可轻松实现并联
超软和快速恢复全电流反向并联二极管
最高结温：175°C
典型应用：
工业UPS
充电器
焊接
能量存储
三级太阳能电池组
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