描述CY62167G30-45ZXI是一款由Infineon研发生产的高性能CMOS、低功耗(MoBL) SRAM器件，内置ECC。CY62167GE30器件包括一个ERR引脚，用于在一个读周期内发出一个单位错误检测和纠正事件的信号。该器件具有独特的字节关断特性，如果两个字节使能(BHE和BLE)均被禁用，无论芯片…
描述
CY62167G30-45ZXI是一款由Infineon研发生产的高性能CMOS、低功耗(MoBL) SRAM器件，内置ECC。CY62167GE30器件包括一个ERR引脚，用于在一个读周期内发出一个单位错误检测和纠正事件的信号。
该器件具有独特的字节关断特性，如果两个字节使能(BHE和BLE)均被禁用，无论芯片使能状态如何，器件都会无缝切换到待机模式，从而节省功耗。在CY62167GE30器件上，通过置位ERR输出(ERR=高电平)来检测和纠正所访问位置的单位错误。
特征
• 超低待机电流
- 标准待机电流:1.5 A
- 最大待机电流:8安
• 高速:45纳秒
• 嵌入式纠错码(ECC ),用于单位错误纠正
• 工作电压范围:2.2 V至3.6 V
• 1.0v数据保持
• 晶体管-晶体管逻辑(TTL)兼容输入和输出
• 指示1位错误检测和纠正的错误指示(ERR)引脚
• 48引脚TSOP I封装，可配置为1M x 16或2M x 8 SRAM
• 提供无铅48引脚VFBGA和48引脚TSOP I封装
应用场景
CY62167G30-45ZXI器件广泛应用于各种需要高速数据处理和实时响应的电子设备中，包括：
人机界面
工业 4.0 的工业机器人系统解决方案
伺服电机驱动和控制
电话咨询：86-755-83294757
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