深圳市明佳达电子有限公司全新原装供应英飞凌功率晶体管《IPB120N10S4-05》N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准。供应型号:IPB120N10S4-05年份:新23+封装:TO-263产品属性制造商: Infineon 产品种类: MOSFET技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-263-3…
深圳市明佳达电子有限公司全新原装供应英飞凌功率晶体管《IPB120N10S4-05》N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准。
供应型号:IPB120N10S4-05
年份:新23+
封装:TO-263
产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Qg-栅极电荷: 91 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
配置: Single
下降时间: 35 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
上升时间: 10 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 9.25 mm
单位重量: 4 g
该MOSFET非常适合用于燃油喷射系统、车载无线充电应用以及称为Board Net的C02减排48V电源子系统。
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