概述BSM150GB120DN2是英飞凌（Infineon）生产的一款IGBT模块，主要用于高电压、大电流的应用场景。该模块属于半桥配置，包含快速续流二极管，并使用绝缘金属基板进行封装。规格IGBT 类型：-配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V电流 - 集电极 (Ic)（最大…
概述
BSM150GB120DN2是英飞凌（Infineon）生产的一款IGBT模块，主要用于高电压、大电流的应用场景。该模块属于半桥配置，包含快速续流二极管，并使用绝缘金属基板进行封装。
规格
IGBT 类型：-
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：210 A
功率 - 最大值：1250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）：2.8 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：11 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：模块
基本产品编号：BSM150
应用领域
BSM150GB120DN2非常适合用于变频器、逆变器、焊机、新能源车载、高铁等领域。
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