深圳市明佳达电子有限公司 供应和回收 N通道 IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽车级MOSFET晶体管 TO-252-3规格晶体管极性： N-沟道 通道数： 1个通道 Vds - 漏极-源极击穿电压：100V Id - 连续漏极电流：35 A Rds On - 漏极-源极电阻：20 mOhms Vgs - 栅极源电压：- 20 V，+ 20 …
深圳市明佳达电子有限公司 供应和回收 N通道 IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽车级MOSFET晶体管 TO-252-3
规格
晶体管极性： N-沟道
通道数： 1个通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：100V
Id - 连续漏极电流：35 A
Rds On - 漏极-源极电阻：20 mOhms
Vgs - 栅极源电压：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：1.2 V
Qg - 栅极电荷： 39 nC
最低工作温度：- 55 C
最高工作温度： + 175 C
Pd - 功率耗散： 71 W
通道模式： 增强型
产品说明
IPD35N10S3L26ATMA1是OptiMOS®-T功率晶体管，优化了总栅极电荷，可用于较小的驱动输出级。
特点
N沟道 - 增强模式
100%雪崩测试
175°C工作温度
最大电流可达180A
MSL1峰值返回温度高达260°C
低开关功率和传导功率损耗，热效率高
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