一般说明MX35LF2G14AC-Z4I是一款带串行接口的 2Gb SLC NAND 闪存设备。该器件的存储器阵列采用了与并行 NAND 相同的单元结构，但实现了行业标准的串行接口。该器件需要主机侧的微控制器来支持 4 位 ECC/528 字节操作。深圳市明佳达电子有限公司【供应】3V，2G 位串行 NAN…
一般说明
MX35LF2G14AC-Z4I是一款带串行接口的 2Gb SLC NAND 闪存设备。
该器件的存储器阵列采用了与并行 NAND 相同的单元结构，但实现了行业标准的串行接口。
该器件需要主机侧的微控制器来支持 4 位 ECC/528 字节操作。
深圳市明佳达电子有限公司【供应】3V，2G 位串行 NAND 闪存 MX35LF2G14AC-Z4I 存储芯片，只做原装，价格优势，请致电咨询！
特点
• 2GB SLC NAND 闪存
- 总线：x4
- 页大小：(2048+64) 字节
- 块大小：(128K+4K) 字节
- 需要 4 位 ECC 528B
• 快速读取访问
- 支持 x1 x2 和 x4 模式的随机数据读取，（1-1-1,1-1-2, 1-1-4）注 1
- 阵列到寄存器的延迟：25us
- 频率：104MHz
• 页面编程操作
- 页面编程时间 300us (typ)
• 块擦除操作
- 块擦除时间：1ms（典型值）
• 单电压操作：
- VCC: 2.7 至 3.6V
• 用于块组保护的 BP 位
• 低功耗
- 最大 30mA 有效电流（读取/编程/擦除）
• 睡眠模式
- 50uA （最大）待机电流
• 高可靠性
- 编程/擦除耐久性： 典型 100K 周期（每 512+16 字节有 4 位 ECC
- 数据保存 10 年
• 宽温工作范围：-40°C 至 +85°C
• 封装：8-WSON（8x6 毫米）
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