深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌存储器 S29GL032N90TFI030 NOR 闪存 3V 32Mb 并联 90 ns 48-TSOP，全新原装，质量保证，欢迎咨询！！！产品描述：S29GL032N90TFI030器件是采用 110 纳米 MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL032N90TFI030是一款 32-Mb 器件，…
深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌存储器 S29GL032N90TFI030 NOR 闪存 3V 32Mb 并联 90 ns 48-TSOP，全新原装，质量保证，欢迎咨询！！！
产品描述：
S29GL032N90TFI030器件是采用 110 纳米 MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL032N90TFI030是一款 32-Mb 器件，按 2,097,152 字或 4,194,304 字节组织。根据型号的不同，这些器件只有 16 位宽数据总线，或 16 位宽数据总线，通过使用 BYTE# 输入，还可用作 8 位宽数据总线。可通过主机系统或标准 EPROM 编程器对器件进行编程。
产品优势：
单电源运行
采用 110 纳米 MirrorBit 工艺技术制造
安全硅扇区
128 字/256 字节扇区，通过 8 字/16 字节随机电子序列号进行永久安全识别，可通过命令序列访问
在工厂或由客户编程和锁定
灵活的扇区结构
32 Mb（统一扇区型号）： 64 个 32K 字（64 KB）扇区
32 Mb（引导扇区型号）： 63 个 32K 字（64 KB）扇区 + 8 个 4K 字（8KB）引导扇区
增强型 VersatileI/O™ 控制
所有输入电平（地址、控制和 DQ 输入电平）和输出均由 VIO 输入电压决定。VIO 范围为 1.65 至 VCC
与 JEDEC 标准兼容
为单电源闪存提供引脚输出和软件兼容性，并提供出色的无意写入保护
每个扇区典型擦除次数为 100,000 次
20 年典型数据保存期
S29GL032N90TFI030器件参数：
存储器类型： 非易失
存储器格式： 闪存
技术： FLASH - NOR
存储容量： 32Mb
存储器组织： 4M x 8，2M x 16
存储器接口： 并联
写周期时间 - 字，页： 90ns
访问时间： 90 ns
电压 - 供电： 2.7V ~ 3.6V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳： 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装： 48-TSOP
联系方式
QQ：1668527835
电话：13410018555
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