深圳市明佳达电子供应 IXYS IXTP160N10T 100V 160A N 沟道增强模式功率 MOSFET 晶体管IXTP160N10T 的产品说明IXTP160N10T 是 N 沟道增强型 100V 160A 功率 MOSFET 晶体管。IXTP160N10T 的规格漏极至源极电压 (Vdss)：100 V电流 - 连续漏极 (Id) @ 25C：160A (Tc)驱动电压…
深圳市明佳达电子供应 IXYS IXTP160N10T 100V 160A N 沟道增强模式功率 MOSFET 晶体管
IXTP160N10T 的产品说明
IXTP160N10T 是 N 沟道增强型 100V 160A 功率 MOSFET 晶体管。
IXTP160N10T 的规格
漏极至源极电压 (Vdss)：100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：160A (Tc)
驱动电压（最大 Rds 导通，最小 Rds 导通）：10 V
Rds On（最大）@ Id，Vgs：7mOhm @ 25A，10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：132 nC @ 10 V
Vgs（最大）：± 30 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds：6600 pF @ 25 V
功率耗散（最大）：430 W (Tc)
工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
IXTP160N10T 的特点
超低导通电阻
雪崩额定值
低封装电感
易于驱动和保护
175°C 工作温度
快速本征二极管
IXTP160N10T 的优势
易于安装
节省空间
功率密度高
IXTP160N10T 的应用
汽车
电机驱动器
42V 电源总线
ABS 系统
DC/DC 转换器和离线 UPS
用于 24V 和 48V 系统的主开关
分布式电源架构和 VRM
电子气门机构系统
大电流开关应用
高压同步恢复器
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