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产品分类

集成电路（IC）

以太网 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片 安全与认证IC 均衡器/驱动器/中继器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

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NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

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（1-Output）LTC7893AUFDM 用于 GaN FET 的 100V 低 IQ 同步升压控制器

（1-Output）LTC7893AUFDM 用于 GaN FET 的 100V 低 IQ 同步升压控制器

来源：本站时间：2024-12-21浏览数：

产品描述：LTC7893AUFDM是一款高性能、升压DC-DC开关稳压控制器，可驱动输出电压高达100V的所有N沟道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7893解决了传统上使用GaN FETs时面临的许多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比，LTC7893简化了应…

产品描述：

LTC7893AUFDM是一款高性能、升压DC-DC开关稳压控制器，可驱动输出电压高达100V的所有N沟道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7893解决了传统上使用GaN FETs时面临的许多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比，LTC7893简化了应用设计，同时不需要保护二极管和其他额外的外部元件。


LTC7893的栅极驱动电压可以在4V至5.5V范围内精确调整，以优化性能，并允许使用不同的GaN FET，甚至逻辑级MOSFET。当从升压转换器调节器输出偏置时，启动后LTC7893可以采用低至1V的输入电源工作。

电路图.png

特征：

针对 GaN FET 完全优化的 GaN 驱动技术

输出电压高达 100V

宽 VIN 范围：4V 至 60V，启动后可在低至 1V 的电压下工作

无需 Catch、Clamp 或 Bootstrap 二极管

内部智能自举开关防止高侧驱动器电源过度充电

电阻可调死区时间

分离输出栅极驱动器，用于可调节驱动器的导通和关断强度

精确可调的驱动器电压和 UVLO

低工作 IQ： 15μA

可编程频率 （100kHz 至 3MHz）

可同步频率 （100kHz 至 3MHz）

扩频频率调制

28 引脚 （4mm × 5mm）， 侧面可湿， QFN 封装

AEC-Q100 认证，适用于汽车应用


应用：

汽车和工业动力系统

军用航空电子和医疗系统

电信电力系统


供应 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半桥模块 返回
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