器件说明：ADMV1012AEZ 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)双边带(DSB)下变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对输入频率范围为17.5 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1012提供15 dB的转换增益、25 dB的镜像抑制性能和2.5 dB噪声…
器件说明：
ADMV1012AEZ 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)双边带(DSB)下变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对输入频率范围为17.5 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。
ADMV1012提供15 dB的转换增益、25 dB的镜像抑制性能和2.5 dB噪声指数。ADMV1012采用射频(RF)低噪声放大器(LNA)，后接由驱动放大器驱动集成×2乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。它具有IF1和IF2正交混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。
应用：
点对点微波无线电
雷达和电子战系统
仪器仪表、自动测试设备 (ATE)
卫星通信
特性：
RF 输入频率范围：17.5 GHz 至 24 GHz
IF 输出频率范围：2.5 GHz 至 3.5 GHz
LO 输入频率范围：7 GHz 至 13.5 GHz
转换增益（混合器件）：15 dB（典型值）
SSB 噪声指数：2.5 dB（典型值）
输入 IP3：3 dBm（典型值）
输入 P1dB：−5 dBm（典型值）
20 dB 镜频抑制
单端 50 Ω RF 和 LO 输入端口
裸露焊盘、4.9 mm × 4.9 mm、32引脚LCC封装
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