深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌IGBT模块_FZ1000R65KE4P2_带沟槽/场截止 IGBT4 和发射极受控 4 二极管的高绝缘模块器件说明FZ1000R65KE4P2 6500 V、1000 A、190 毫米单开关 IGBT 模块，采用 IGBT4 沟道现场止动技术 - HVDC-VSC、牵引和工业应用的最佳解决方案。电…
深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌IGBT模块_FZ1000R65KE4P2_带沟槽/场截止 IGBT4 和发射极受控 4 二极管的高绝缘模块
器件说明
FZ1000R65KE4P2 6500 V、1000 A、190 毫米单开关 IGBT 模块，采用 IGBT4 沟道现场止动技术 - HVDC-VSC、牵引和工业应用的最佳解决方案。
电气特性
- Vces = 6500 V
- IC 额定值 = 1000 A / ICRM = 2000 A
- 低 VCE 饱和
机械特性
- 扩展存储温度低至 Tstg = -55 °C
- 具有 10.4 kV AC 60 s 增强绝缘的封装
- 高爬电距离和间隙距离
- CTI > 600 的封装
- AlSiC 底板增强了热循环能力
潜在应用
• 中压变流器
• 牵引
• 输配电
产品属性
产品种类:IGBT 模块
产品: Highly Insulated Modules
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 6.5 kV
集电极—射极饱和电压: 3.25 V
在25 C的连续集电极电流: 1 kA
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 3.6 MW
封装 / 箱体: 190 mm x 140 mm x 48 mm
最小工作温度: - 50 C
最大工作温度: + 135 C
栅极/发射极最大电压: 20 V
湿度敏感性: Yes
安装风格:Screw Mount
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