深圳市明佳达电子有限公司供应IGBT晶体管 SCTW100N65G2AG 汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25C），HiP247封装SCTW100N65G2AG产品概述描述该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。器件具有每区域…
深圳市明佳达电子有限公司供应IGBT晶体管 SCTW100N65G2AG 汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封装
SCTW100N65G2AG产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。
所有功能
专为汽车应用而设计
导通电阻随温度变化敏感温度
稳定的超快速本体二极管
适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
低电容
产品属性
产品种类: MOSFET
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HiP-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 69 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 162 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 420 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: SCTW100N65G2AG
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
单位重量: 4.500 g
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