深圳市明佳达电子有限公司供应和收购罗姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面贴装型 N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7LROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，…
深圳市明佳达电子有限公司供应和收购罗姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面贴装型 N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7L
ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
产品描述：
SCT4062KW7HRTL是一款1200V、24A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。
产品特点：
符合AEC-Q101标准
低导通电阻
开关速度快
快速的反向恢复
易于并联 易于驱动
无铅电镀；符合RoHS标准
产品属性：
FET 类型： N 通道
技术： SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）： 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 81 毫欧 @ 12A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V @ 6.45mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC @ 18 V
Vgs（最大值）： +21V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1498 pF @ 800 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 93W
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： TO-263-7L
封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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