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供应(1200V, 24A)SCT4062KW7HRTL 7引脚SMD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

供应(1200V, 24A)SCT4062KW7HRTL 7引脚SMD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

来源:本站时间:2023-06-30浏览数:

明佳达公司进口原装供应(1200V, 24A)SCT4062KW7HRTL 7引脚SMD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET,质量保证,欢迎咨询!型号:SCT4062KW7HRTL批次:最新封装:TO-263-7L产品概述:SCT4062KW7HRTL是一款1200V、24A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻,…

明佳达公司进口原装供应(1200V, 24A)SCT4062KW7HRTL 7引脚SMD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET,质量保证,欢迎咨询!


型号:SCT4062KW7HRTL

批次:最新

封装:TO-263-7L

image.png

产品概述:

SCT4062KW7HRTL是一款1200V、24A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻,是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。


特征:

符合AEC-Q101标准  

低导通电阻  

开关速度快  

快速的反向恢复  

易于并联  

驱动简单  

无铅电镀;符合RoHS标准

image.png

产品属性

FET 类型: N 通道  

技术: SiCFET(碳化硅)  

漏源电压(Vdss): 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 81 毫欧 @ 12A,18V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.8V @ 6.45mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC @ 18 V  

Vgs(最大值): +21V,-4V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1498 pF @ 800 V  

FET 功能 -  

功率耗散(最大值) 93W  

工作温度 175°C(TJ)  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 TO-263-7L  

封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA


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