深圳市明佳达电子有限公司供应且回收（Cypress）CY14E256LA-SZ45XI 非易失性 SRAM 存储器IC 256Kb 并联 32-SOIC。产品详情：CY14E256LA是一种快速静态RAM，每个存储单元中都有一个非易失性元件。内存组织为32kb。嵌入的非易失性元件结合了QuantumTrap技术，产生了世界上最…
深圳市明佳达电子有限公司供应且回收（Cypress）CY14E256LA-SZ45XI 非易失性 SRAM 存储器IC 256Kb 并联 32-SOIC。
产品详情：
CY14E256LA是一种快速静态RAM，每个存储单元中都有一个非易失性元件。内存组织为32kb。嵌入的非易失性元件结合了QuantumTrap技术，产生了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而独立的非易失性数据驻留在高度可靠的QuantumTrap单元中。数据从SRAM传输到非易失性元件(STORE操作)在断电时自动进行。上电后，数据从非易失性存储器恢复到SRAM (RECALL操作)。存储和召回操作也可以在软件控制下使用。
特性：
• 25ns和45ns的访问时间
• 内部组织为32k × 8 (CY14E256LA)
• 关机自动存储只有一个小电容
• 存储到QuantumTrap非易失性元素，由软件、设备引脚启动，或在断电时自动存储
• 由软件或上电启动的SRAM召回
• 无限的读、写、回调周期
• 100万个存储周期到QuantumTrap
• 数据保留20年
• 单次5v + 10%操作
• 工业温度
• 32针小轮廓集成电路(SOIC)封装
• 无铅和有害物质限制(RoHS)符合
CY14E256LA-SZ45XI 技术参数：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
技术：NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：256Kb
存储器组织：32K x 8
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：45ns
访问时间：45 ns
电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：32-SOIC
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