罗姆晶体管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N沟道碳化硅功率MOSFET

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罗姆晶体管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N沟道碳化硅功率MOSFET

来源：本站时间：2023-06-28浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司（供应）（回收）罗姆晶体管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N沟道碳化硅功率MOSFETROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极…

深圳市明佳达电子有限公司（供应）（回收）罗姆晶体管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N沟道碳化硅功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。

SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15产品属性

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 @ 10A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +22V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 571 pF @ 500 V

FET 功能： -