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【回收IGBT模块】FAM65CR51DZ2 2个独立式 650V 33A 160W 通孔 APMCD-B16

【回收IGBT模块】FAM65CR51DZ2 2个独立式 650V 33A 160W 通孔 APMCD-B16

来源:本站时间:2023-06-17浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司 供应、【回收IGBT模块】FAM65CR51DZ2 2个独立式 650V 33A 160W 通孔 APMCD-B16。产品详情:FAM65CR51DZ2 是一款配置有2个独立式的IGBT模块。该功率集成模块 (PIM) 利用汽车点火IGBT和智能功率模块 (IPM) 开发方面的丰富经验以及封装专业技术制造…

深圳市明佳达电子有限公司 供应、【回收IGBT模块】FAM65CR51DZ2 2个独立式 650V 33A 160W 通孔 APMCD-B16。


产品详情:

FAM65CR51DZ2 是一款配置有2个独立式的IGBT模块。该功率集成模块 (PIM) 利用汽车点火IGBT和智能功率模块 (IPM) 开发方面的丰富经验以及封装专业技术制造而成,是完全符合严格行业标准的电源解决方案。此外,该模块解决方案为用户提供了针对硅和封装的完全集成供应链,可确保高质量和成本效率。


该功率集成模块仅包括电源开关和整流器,有各种拓扑可供选择。常见的拓扑包括具有输入桥式整流和制动的三相逆变器级、升压转换器和多电平逆变器。


特性:

• 高速1200V和650V IGBT,具有低VCESAT

• 有带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂TIM的选项可供选择

• 带压配引脚和焊接引脚的选项

• 旁路和反向并联二极管

• 提供焊接引脚和压配引脚选项


应用:

• 太阳能逆变器

• UPS逆变器

• MPPT升压级

• 电池充电器升压级


FAM65CR51DZ2 器件规格:

IGBT 类型:-

配置:2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值):650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33 A

功率 - 最大值:160 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):-

不同 Vce 时输入电容 (Cies):4.86 nF @ 400 V

输入:标准

NTC 热敏电阻:无

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:12-SSIP 裸焊盘,成型引线

供应商器件封装:APMCD-B16

基本产品编号:FAM65

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